化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征

• 作者: 孙国胜 张永兴 曾一平 李晋闽 王雷 赵万顺 高欣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 化学气相沉积 Raman PL
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 70-73
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2299字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.019

摘要

采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向<11-20>晶向8°的p型4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行同质外延生长.霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外延膜层导电性为n型.XRD测试显示各个样品只在位于2θ=35.5°附近出现一个谱峰,表明外延膜是SiC单晶.在低温PL谱中,对于在较低温度下外延生长的4H-SiC样品,在1.8～2.4eV范围内出现很宽的谱峰.而在该样品的Raman谱中,也观察到了典型的3C-SiC的特征峰,表明该样品含有立方相SiC的混晶,这与PL谱获得的结果相吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李晋闽	中国科学院半导体研究所材料中心	75	652	13.0	23.0
2	孙国胜	中国科学院半导体研究所材料中心	28	244	9.0	15.0
3	王雷	中国科学院半导体研究所材料中心	192	2018	26.0	36.0
4	赵万顺	中国科学院半导体研究所材料中心	17	77	5.0	8.0
5	曾一平	中国科学院半导体研究所材料中心	85	439	11.0	16.0
6	高欣	中国科学院半导体研究所材料中心	46	202	9.0	12.0
7	张永兴	兰州大学物理学院	2	19	2.0	2.0