沉积位置对化学气相沉积SiC涂层微观组织的影响

• 作者: 付前刚 史小红 李克智 李贺军 黄剑锋
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 沉积位置 化学气相沉积 SiC涂层 微观组织
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 49-52
• 页数: 4页
• 分类号: TB332
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2005.01.012

摘要

利用化学气相沉积法在C/C复合材料表面制备了SiC涂层,并借助扫描电子显微镜和X射线衍射等手段对不同位置沉积产物的微观形貌、相组成以及厚度进行了测试.推导出了沉积位置与反应气源过饱和度的定性关系,分析了反应气源过饱和度对SiC涂层形貌、晶粒尺寸以及涂层厚度的影响.研究结果表明:沿着沉积炉内气体流动的方向,反应气源的过饱和度逐渐降低,沉积所得β-SiC涂层形貌由颗粒状向须状转变,晶粒尺寸与涂层厚度逐渐减小.