SiC涂层化学气相沉积过程的数值模拟

• 作者: 付前刚 孙国栋 宋广兴 曹伟 李贺军
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 化学气相沉积 SiC涂层 数值模拟 复合材料
• 年，卷（期）: 2007,（9）
• 所属期刊栏目: 专题研究
• 页码范围: 1070-1074
• 页数: 5页
• 分类号: TB332
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987x.2007.09.015

摘要

根据化学气相沉积法的工艺特点,对C/C复合材料SiC涂层的制备过程进行了数学建模和有限元模拟,得出了反应器内以及试样表面反应物浓度的变化规律,并且获得了反应器内反应物浓度与沉积产物间的关系.结合实验分析,验证了SiC涂层晶粒尺寸的变化和沉积形貌的演变是由于反应气体浓度分布随位置变化造成的:沿着反应气体流动的方向,反应物浓度逐渐降低,沉积得到的SiC晶粒尺寸逐渐减小,沉积形貌由堆积岛状到颗粒状再到晶须状逐级演变.