化学气相沉积SiC涂层生长过程分析

• 作者: 刘荣军 周新贵 张长瑞 曹英斌
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学气相沉积 SiC 晶体生长 涂层 HRTEM
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 425-429
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2498字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2005.02.026

摘要

以高纯石墨为沉积基体,MTS为先驱体原料,在负压条件下沉积了CVD SiC涂层.利用SEM和XRD分别对涂层的形貌及晶体结构进行了表征,SiC涂层表面呈菱柱状,(111)面为择优取向面.利用高分辨透射电镜对涂层与基体的界面结构、涂层的显微结构进行了研究,得出CVD SiC涂层生长过程如下:SiC最初是沿着石墨基体的晶面取向开始生长的;随后经历一段取向淘汰及调整的过程后,开始(111)晶面的生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长瑞	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	138	1800	24.0	32.0
2	周新贵	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	93	1060	19.0	27.0
3	曹英斌	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	49	729	16.0	24.0
4	刘荣军	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	29	360	13.0	18.0