沉积温度对SiC涂层微观结构及组成的影响

• 作者: 熊翔 肖鹏 邓清
• 来源期刊: 粉末冶金材料科学与工程
• 关键词: 化学气相沉积 SiC 沉积温度 微观结构
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺技术
• 页码范围: 304-309
• 页数: 6页
• 分类号: TB332
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-0224.2006.05.011

摘要

利用MTS-H2-Ar体系, 用化学气相沉积法(CVD)在SiC基体材料表面沉积SiC涂层. 用X射线衍射仪和扫描电镜分析涂层的晶体结构和表面形貌. 研究温度对涂层的物相组成、微观结构和沉积速率的影响. 结果表明: 在1 100～1 400 ℃范围内, 沉积产物均为单一的β-SiC结晶相;随温度升高, SiC晶粒尺寸增大, 1 400 ℃时择优生长由(110)晶面转变为(220)晶面;涂层形貌对温度十分敏感, 在1 200 ℃温度下沉积的涂层最为致密, 且具有最大沉积速率, 是制备SiC涂层的最佳温度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊翔	中南大学粉末冶金国家重点实验室	345	3793	27.0	39.0
2	肖鹏	中南大学粉末冶金国家重点实验室	157	1541	19.0	30.0
3	邓清	中南大学粉末冶金国家重点实验室	2	41	2.0	2.0