低温化学气相沉积SiC涂层沉积机理及微观结构

• 作者: 刘晓阳 刘荣军 周新贵 张长瑞 曹英斌
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 沉积温度 化学相沉积 SiC涂层 机理 微观结构
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 15-19
• 页数: 5页
• 分类号: TB323
• 字数: 2986字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2004.01.005

摘要

由MTS-H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了SiC涂层沉积速率和温度之间的关系,MTS-H2体系沉积反应的平均活化能为114kJ/mol,用理论模型证明了低温化学气相沉积SiC为动力学控制过程.SiC涂层表面的显微结构随沉积温度变化而呈现规律的变化:沉积温度T<1150℃时,CVD SiC涂层表面致密、光滑;T≥1150℃时,CVD SiC涂层表面变得疏松、粗糙.随着沉积温度的升高,CVD SiC涂层的结晶由不完整趋向于完整;当沉积温度T≥1150℃,CVD SiC涂层的XRD谱图中除了β-SiC占主体外还出现了少量α-SiC.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长瑞	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	138	1800	24.0	32.0
2	周新贵	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	93	1060	19.0	27.0
3	曹英斌	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	49	729	16.0	24.0
4	刘荣军	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	29	360	13.0	18.0
5	刘晓阳	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	7	79	6.0	7.0