化学气相沉积工艺制备SiC涂层

• 作者: 刘荣军 周新贵 张长瑞 曹英斌
• 来源期刊: 宇航材料工艺
• 学科: 航空航天
• 关键词: 化学气相沉积 SiC涂层
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 新材料新工艺
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: V25
• 字数: 1601字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2330.2002.05.010

摘要

利用化学气相沉积工艺制备了SiC涂层,对涂层进行了SEM及XRD分析.考察了温度、载气和稀释气体对涂层微观结构的影响;对不同基体进行了对照试验.在1 100℃～1 300℃沉积时,随着温度的升高,SiC涂层沉积速度加快,SiC颗粒变大,同时颗粒间的孔隙也变大,涂层的致密度降低;Ar流量相对小时,制备的涂层致密、光滑.以SiCp/SiC作基体时,涂层和基体结合得很牢固,SiC颗粒会向基体中渗透,从而增强了涂层和基体之间的结合力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张长瑞	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	138	1800	24.0	32.0
2	周新贵	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	93	1060	19.0	27.0
3	曹英斌	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	49	729	16.0	24.0
4	刘荣军	国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室	29	360	13.0	18.0