n型4H-SiC MOS电容的特性

• 作者: 刘忠立 宁瑾 高见头
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC MOS电容 C-V特性 热生长SiO2
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 140-142
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2+4
• 字数: 1274字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.037

摘要

在n型4H-SiC外延层上,采用H2,O2合成的办法,热生长30nm的SiO2层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO2与4H-SiC外延层的界面特性,并计算出n型4H-SiC外延层的掺杂浓度.结果表明H2,O2合成热生长的SiO2与4H-SiC外延层之间具有较好的界面特性,界面态密度较小.n型4H-SiC外延层的掺杂均匀,浓度为1.84×1017cm-3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘忠立	中国科学院半导体研究所微电子中心	77	412	12.0	14.0
2	宁瑾	中国科学院半导体研究所微电子中心	13	44	4.0	6.0
3	高见头	中国科学院半导体研究所微电子中心	4	16	1.0	4.0