N型6H-SiC MOS电容的电学特性

• 作者: 刘忠立 梁桂荣 梁秀芹 王姝睿 马红芝
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 MOS电容
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 755-759
• 页数: 5页
• 分类号: TM53
• 字数: 3445字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.06.017

摘要

在可商业获得的N型6H-SiC晶片上,通过化学气相淀积,进行同质外延生长,在此结构材料上,制备MOS电容.详细测量并分析了6H-SiCMOS电容的电学特性,其有效电荷密度为4.3×1010cm-2;SiC与SiO2之间的势垒高度估算为2.67eV;SiC热生长SiO2的本征击穿场强(用累计失效率50%时的场强来计算)为12.4MV/cm,已达到了制作器件的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘忠立	中国科学院半导体研究所	77	412	12.0	14.0
2	王姝睿	中国科学院半导体研究所	7	52	5.0	7.0
3	梁桂荣	中国科学院半导体研究所	1	7	1.0	1.0
4	梁秀芹	中国科学院半导体研究所	1	7	1.0	1.0
5	马红芝	中国科学院半导体研究所	2	7	1.0	2.0