6H-SiC埋沟MOSFET的C-V特性研究

• 作者: 王巍 王玉青 申君君
• 来源期刊: 重庆邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: SiC 埋沟MOSFET C-V特性 界面态
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 通信与电子
• 页码范围: 74-77
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 3017字
• 语种: 中文

摘要

研究了6H-SiC埋沟MOSFET器件的电容-电压解析模型,分析了埋沟MOSFET各种工作模式下的电容与电压之间的关系.在建模过程中考虑了SiO2/SiC界面态及PN结的影响,并仿真分析了耗尽模式、夹断模式下器件总的C-V特性的模型.由于在假设界面态密度分布均匀条件下,对界面态做了简化处理,因而计算结果与实验结果有所差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王巍	重庆邮电大学光电工程学院	72	264	9.0	10.0
2	王玉青	重庆邮电大学光电工程学院	9	17	3.0	3.0
3	申君君	重庆邮电大学光电工程学院	5	8	2.0	2.0