C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度

• 作者: 张义门 张玉明 汤晓燕 郜锦侠
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: C-V法 SiC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2992-2996
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3011字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.06.057

摘要

本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析.pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题.SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差.本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度.在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响.理论分析结果和实验测试结果相一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玉明	宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院	9	23	3.0	4.0
2	张义门	宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院	10	25	3.0	4.0
3	郜锦侠	宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院	2	8	1.0	2.0
4	汤晓燕	宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院	4	16	2.0	4.0