电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布

• 作者: 徐继平 程凤伶
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电化学C-V MOCVD GaAs 载流子浓度
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 页码范围: 2347-2351
• 页数: 5页
• 分类号: O484.5
• 字数: 3181字
• 语种: 中文

摘要

电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法.本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析.研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可以为研究掺硅GaAs半导体材料载流子浓度工艺优化和改进提供重要指导依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程凤伶		3	6	1.0	2.0
2	徐继平		3	3	1.0	1.0