掺氮类金刚石薄膜的电化学C-V研究

• 作者: 刘铁林 徐富春 程翔 陈朝
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 掺氮类金刚石薄膜 电化学C-V X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1264-1268
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.18
• 字数: 2759字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.013

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法携带N2或NH3制备掺氮的类金刚石(DLC∶N)薄膜,对不同掺杂方法得到DLC∶N薄膜进行电化学C-V测量.I-V和C-V曲线表明,不论是采用N2或是NH3进行掺杂都得到n型的DLC薄膜,掺NH3的样品载流子浓度能达到更高.根据样品的电化学C-V测量结果并结合X射线光电子能谱,详细研究了DLC∶N薄膜载流子浓度的纵向分布,发现在靠近薄膜与衬底界面处附近即生长初期N的掺杂浓度分布较高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈朝	厦门大学物理系	63	420	11.0	18.0
2	程翔	厦门大学物理系	23	63	5.0	6.0
3	徐富春	厦门大学物理系	11	91	6.0	9.0
4	刘铁林		1	10	1.0	1.0