掺钨类金刚石薄膜制备工艺参数的正交分析研究

• 作者: 张忠诚 张程 朱晖朝 李福球 林凯生 谢思中
• 来源期刊: 材料研究与应用
• 关键词: 正交分析 类金刚石 薄膜 硬度
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 工艺探讨
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文

摘要

采用离子源技术制备掺钨类金刚石薄膜(W-DLC),为系统地探究各工艺参数对薄膜硬度的影响,设计了L9(34)正交试验方案,同时结合正交分析效应曲线分别研究了C2 H2流量、离子源电流、基体负偏压、钨靶电流对薄膜硬度的影响.结果表明:基体负偏压对薄膜硬度影响最大,其次为C2 H2流量和离子源电流,钨靶电流的影响最小;薄膜硬度随C2 H2流量的增大整体呈上升趋势,随离子源电流及偏压的增加而增加,随钨靶电流的增加而减小;工艺参数组合优选为C2 H2流量100 mL/min、离子源电流8 A、负偏压100 V、钨靶电流4 A.该研究为后续进一步优化工艺,制备高性能类金刚石薄膜提供了重要的理论依据.