金刚石薄膜负偏压形核的边缘效应

• 作者: 康志成 汪建华 满卫东 王传新 王升高 马志斌
• 来源期刊: 高压物理学报
• 关键词: MPCVD 形核 金刚石膜 边缘效应
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 页码范围: 145-149
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5773.2003.02.012

摘要

在微波等离子体化学气相沉积装置中,研究了金刚石薄膜在Si(100)面上的负偏压形核行为,结果表明,偏压大小对金刚石的形核均匀性有显著影响,而甲烷浓度主要影响形核时间,对金刚石的最大核密度影响不大.在硅片尺寸小于钼支撑架时,形核行为存在明显的边缘效应,即在偏压值低于-150 V时,硅片边缘金刚石核密度急剧降低,远低于硅片中央;在甲烷浓度比较低时,硅片边缘核密度要高于中间.研究表明,造成这种现象的主要原因是硅片下的钼支撑架发射电子所致,过量的原子H对金刚石的形核是不利的.