异质栅MOSFET热载流子效应的研究

• 作者: 褚蕾蕾 金林 陈军宁 高珊
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 异质栅 MOSFET 热载流子效应 MEDICI
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 185-188
• 分类号: TN386
• 语种: 中文

摘要

异质栅MOSFET器件的栅极由具有不同功函数的两种材料拼接而成,能够提高载流子输运速度、抑制阈值电压漂移等.文中比较了异质栅MOSFET和常规MOSFET的热载流子退化特性.通过使用器件数值模拟软件MEDICI,对能有效监测热载流子效应的参数,例如电场、衬底电流和栅电流等参数进行仿真.将仿真结果与常规MOSFET对比,从抑制热载流子效应方面验证了新结构器件的高性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈军宁	安徽大学微电子系	160	1135	16.0	26.0
2	高珊	安徽大学微电子系	28	89	6.0	8.0
3	褚蕾蕾	安徽大学微电子系	5	3	1.0	1.0
4	金林	安徽大学微电子系	2	2	1.0	1.0