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摘要:
本文完成了热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱正向栅控二极管技术表征的实验研究.正向栅控二极管技术简单、准确,可以直接测得热载流子诱生的平均界面陷阱密度,从而表征器件的抗热载流子特性.实验结果表明:通过体接触方式测得的MOSFET/SOI 栅控二极管R-G电流峰可以直接给出诱生的界面陷阱密度.抽取出来的热载流子诱生界面陷阱密度与累积应力时间呈幂指数关系,指数因子约为0.787.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征
来源期刊 电子学报 学科 工学
关键词 热载流子应力效应 界面陷阱 R-G电流 正向栅控二极管 MOSFET/SOI
年,卷(期) 2002,(2) 所属期刊栏目 学术论文
研究方向 页码范围 252-254
页数 3页 分类号 TN
字数 2277字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0372-2112.2002.02.026
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄如 北京大学微电子学研究所 87 413 9.0 17.0
2 张兴 北京大学微电子学研究所 120 618 12.0 20.0
3 王阳元 北京大学微电子学研究所 78 1128 15.0 32.0
4 何进 北京大学微电子学研究所 24 84 5.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
热载流子应力效应
界面陷阱
R-G电流
正向栅控二极管
MOSFET/SOI
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子学报
月刊
0372-2112
11-2087/TN
大16开
北京165信箱
2-891
1962
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