热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征

• 作者: 何进 张兴 王阳元 黄如
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热载流子应力效应 界面陷阱 R-G电流 正向栅控二极管 MOSFET/SOI
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 252-254
• 页数: 3页
• 分类号: TN
• 字数: 2277字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2002.02.026

摘要

本文完成了热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱正向栅控二极管技术表征的实验研究.正向栅控二极管技术简单、准确,可以直接测得热载流子诱生的平均界面陷阱密度,从而表征器件的抗热载流子特性.实验结果表明:通过体接触方式测得的MOSFET/SOI 栅控二极管R-G电流峰可以直接给出诱生的界面陷阱密度.抽取出来的热载流子诱生界面陷阱密度与累积应力时间呈幂指数关系,指数因子约为0.787.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	张兴	北京大学微电子学研究所	120	618	12.0	20.0
3	王阳元	北京大学微电子学研究所	78	1128	15.0	32.0
4	何进	北京大学微电子学研究所	24	84	5.0	8.0