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热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征
热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征
作者:
何进
张兴
王阳元
黄如
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
热载流子应力效应
界面陷阱
R-G电流
正向栅控二极管
MOSFET/SOI
摘要:
本文完成了热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱正向栅控二极管技术表征的实验研究.正向栅控二极管技术简单、准确,可以直接测得热载流子诱生的平均界面陷阱密度,从而表征器件的抗热载流子特性.实验结果表明:通过体接触方式测得的MOSFET/SOI 栅控二极管R-G电流峰可以直接给出诱生的界面陷阱密度.抽取出来的热载流子诱生界面陷阱密度与累积应力时间呈幂指数关系,指数因子约为0.787.
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正向栅控二极管监测F-N电应力诱生的SOI-MOSFET界面陷阱
F-N应力效应
界面陷阱
R-G电流
栅控二极管
MOSFET/SOI
复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布
SOI技术
MOS器件
界面陷阱分布
热载流子效应
复合栅控二极管技术
SOI MOSFET器件的热载流子退化机理
绝缘体上硅
热载流子注入效应
失效机理
可靠性
内容分析
文献信息
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文献信息
篇名
热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征
来源期刊
电子学报
学科
工学
关键词
热载流子应力效应
界面陷阱
R-G电流
正向栅控二极管
MOSFET/SOI
年,卷(期)
2002,(2)
所属期刊栏目
学术论文
研究方向
页码范围
252-254
页数
3页
分类号
TN
字数
2277字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0372-2112.2002.02.026
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
黄如
北京大学微电子学研究所
87
413
9.0
17.0
2
张兴
北京大学微电子学研究所
120
618
12.0
20.0
3
王阳元
北京大学微电子学研究所
78
1128
15.0
32.0
4
何进
北京大学微电子学研究所
24
84
5.0
8.0
传播情况
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1995(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1998(1)
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2001(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
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参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2014(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2015(2)
引证文献(2)
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2017(1)
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2018(2)
引证文献(0)
二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
热载流子应力效应
界面陷阱
R-G电流
正向栅控二极管
MOSFET/SOI
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子学报
主办单位:
中国电子学会
出版周期:
月刊
ISSN:
0372-2112
CN:
11-2087/TN
开本:
大16开
出版地:
北京165信箱
邮发代号:
2-891
创刊时间:
1962
语种:
chi
出版文献量(篇)
11181
总下载数(次)
11
总被引数(次)
206555
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