SOI MOSFET器件的热载流子退化机理

• 作者: 恩云飞 李恒 章晓文 赵文彬
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 绝缘体上硅 热载流子注入效应 失效机理 可靠性
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析技术
• 页码范围: 9-13
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2006.04.003

摘要

介绍了绝缘体上硅(SOI)材料的制作方法,阐述了SOI MOSFET器件的热载流子注入效应的失效机理.研究表明:前沟和背面缺陷的耦合效应是SOI器件的特有现象,对SOI器件的退化构成潜在的威胁.虽然失效机理比体硅器件复杂,但并不会阻碍高性能、低电压ULSI SOI电路的发展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	恩云飞		37	304	10.0	14.0
2	章晓文		16	78	5.0	7.0
3	李恒	中国电子科技集团公司第五十八研究所	3	3	1.0	1.0
4	赵文彬	中国电子科技集团公司第五十八研究所	9	10	2.0	2.0