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摘要:
研究了横向绝缘栅双极型晶体管( LIGBT)的热载流子退化机理及环境温度对其热载流子退化的影响。结果表明,器件的主导退化机制是鸟嘴处大量界面态的产生,从而导致饱和区阳极电流Iasat和线性区阳极电流Ialin存在较大的退化的主要原因,同时,由于Ialin的分布比Iasat的分布更靠近器件表面,故Ialin的退化比Iasat的退化更严重;而器件沟道区的碰撞电离和热载流子损伤很小,使得阈值电压Vth在应力前后没有明显的退化。在此基础上,进一步研究了环境温度对LIGBT器件的热载流子退化的影响。结果表明, LIGBT呈现正温度系数,且高温下LIGBT的阈值电压会降低,使得相同应力下其电流增大,导致器件碰撞电离的增大,增强了器件的热载流子损伤。
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一种新型优化热载流子退化效应的 SOI-LIGBT
绝缘栅双极型晶体管
绝缘体上硅
热载流子效应
优化
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 功率 LIGBT 热载流子退化机理及环境温度影响
来源期刊 东南大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 横向绝缘栅双极型晶体管 环境温度 热载流子效应 退化
年,卷(期) 2016,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 255-259
页数 5页 分类号 TN386.2
字数 3687字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-0505.2016.02.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙伟锋 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 105 634 13.0 19.0
2 刘斯扬 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 21 54 4.0 5.0
3 张春伟 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 8 18 3.0 4.0
4 张艺 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 2 3 1.0 1.0
5 周雷雷 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 1 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
横向绝缘栅双极型晶体管
环境温度
热载流子效应
退化
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
东南大学学报(自然科学版)
双月刊
1001-0505
32-1178/N
大16开
南京四牌楼2号
28-15
1955
chi
出版文献量(篇)
5216
总下载数(次)
12
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