5 V pMOS器件的热载流子注入退化机理

• 作者: 刘小红 吕康 孙伟锋 杨翰琪 魏家行
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: pMOS 热载流子注入 不同栅压应力 TCAD仿真
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1093-1096
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2643字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2018.05.002

摘要

研究了低压pMOS器件热载流子注入HCI(Hot-Carrier Injection)退化机理,分析了不同的栅压应力下漏极饱和电流(Idsat)退化出现不同退化趋势的原因.结合实测数据并以实际样品为模型进行了器件仿真,研究表明,快界面态会影响pMOS器件迁移率,导致Idsat的降低;而电子注入会降低pMOS器件阈值电压(Vth),导致Idsat的上升.当栅压为-7.5 V时,界面态的产生是导致退化的主要因素,在栅压为-2.4 V的应力条件下,电子注入在热载流子退化中占主导作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
2	魏家行	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	4	3	1.0	1.0
3	杨翰琪	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	1	0	0.0	0.0
4	刘小红		1	0	0.0	0.0
5	吕康		1	0	0.0	0.0