pMOS器件的热载流子注入和负偏压温度耦合效应

• 作者: 刘红侠 郝跃
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Pmos器件 热载流子注入 负偏压温度不稳定性 界面态 氧化层固定正电荷
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1005-1009
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 2299字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.029

摘要

研究了在热载流子注入HCI(hot-carrier injection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性.测量了pMOS器件应力前后的电流电压特性和典型的器件参数漂移,并与单独HCI和NBT应力下的特性进行了对比.在这两种应力偏置条件下,pMOS器件退化特性的测量结果显示高温NBT应力使得热载流子退化效应增强.由于栅氧化层中的固定正电荷引起正反馈的热载流子退化增强了漏端电场,使得器件特性严重退化.给出了NBT效应不断增强的HCI耦合效应的详细解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子研究所	91	434	10.0	15.0