N-LDMOS热载流子注入效应的分析和优化

• 作者: 孙贵鹏 宋李梅 杜寰 王文博 王晓慧
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS 热载流子注入 可靠性
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 页码范围: 1129-1132
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 2285字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.04.001

摘要

研究了一种N-LDMOS器件的热载流子注入效应,分析了热载流子效应产生的机理、对器件性能以及可靠性的影响,提出了改进方法.为了降低此器件的热载流子注入效应,我们利用华润上华公司提供的ISE软件对N-LDMOS高压工艺进行模拟,根据模拟结果调整了器件结构,通过增大器件的场板长度、漂移区长度以及增加N阱与有源区的交叠长度等措施,使得相同偏置条件下,表征热载流子注入强度的物理量--器件衬底电流降为改进前的1/10,显著改善了该器件的热载流子注入效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋李梅	中国科学院微电子研究所	18	56	5.0	5.0
2	杜寰	中国科学院微电子研究所	41	108	5.0	6.0
3	王文博	中国科学院微电子研究所	24	448	7.0	21.0
4	王晓慧	中国科学院微电子研究所	13	34	4.0	4.0