100 V体硅N-LDMOS器件研究

• 作者: 孙伟峰 李海松 许坚
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 漂移区 金属场极板 击穿电压 体硅
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件
• 页码范围: 469-471,475
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2566字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.02.022

摘要

为了设计一款100 V体硅N-LDMOS器件,通过借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件衬底浓度、漂移区参数、金属场极板长度等与击穿电压、开态电阻之间的关系,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的100 V体硅N-LDMOS最佳结构、工艺参数.折衷考虑到了击穿电压、开态电阻这一对矛盾体以满足设计指标.通过模拟曲线可知该高压器件的关态和开态的击穿电压都达到要求,开启电压为1.5 V,而且完全兼容国内体硅标准低压CMOS工艺,可以很好地应用于各种高压功率集成芯片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李海松	东南大学集成电路学院	13	75	4.0	8.0
2	孙伟峰	东南大学集成电路学院	5	13	2.0	3.0
3	许坚	东南大学集成电路学院	1	0	0.0	0.0