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摘要:
LDMOS器件广泛应用于高压集成电路芯片中,由于常作为功率开关来使用,其主要的性能指标为击穿电压(VB)与比导通电阻(RON,sp).然而,VB与RON,sp均强烈受制于漂移区长度及掺杂浓度,因此存在固有的矛盾关系.Triple RESURF技术被广泛使用于优化器件VB与RON,sp之间的矛盾关系.基于传统Triple RESURF技术,提出了一种新型Triple RESURF LDMOS结构,即在P-buried层的上方和下方引入了高浓度的N型掺杂层.相较于传统结构,该结构器件既可以避免表面杂质浓度较高带来的器件提前击穿,又可以降低同等电压下的比导通电阻.测试结果表明该结构可以达到VB=795V,RON,sp=78.3 mΩ· cm2,相比于传统结构的RON,sp降低了26.8%.
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文献信息
篇名 700 V超低比导通电阻的LDMOS器件
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 LDMOS Triple RESURF 比导通电阻 击穿电压
年,卷(期) 2020,(8) 所属期刊栏目 微电子制造与可靠性
研究方向 页码范围 43-46
页数 4页 分类号 TN306
字数 1748字 语种 中文
DOI 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0804
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 乔明 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 35 178 8.0 12.0
2 李怡 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 2 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
LDMOS
Triple RESURF
比导通电阻
击穿电压
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
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24
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9543
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