700 V超低比导通电阻的LDMOS器件

• 作者: 乔明 李怡
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS Triple RESURF 比导通电阻 击穿电压
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 43-46
• 页数: 4页
• 分类号: TN306
• 字数: 1748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0804

摘要

LDMOS器件广泛应用于高压集成电路芯片中,由于常作为功率开关来使用,其主要的性能指标为击穿电压(VB)与比导通电阻(RON,sp).然而,VB与RON,sp均强烈受制于漂移区长度及掺杂浓度,因此存在固有的矛盾关系.Triple RESURF技术被广泛使用于优化器件VB与RON,sp之间的矛盾关系.基于传统Triple RESURF技术,提出了一种新型Triple RESURF LDMOS结构,即在P-buried层的上方和下方引入了高浓度的N型掺杂层.相较于传统结构,该结构器件既可以避免表面杂质浓度较高带来的器件提前击穿,又可以降低同等电压下的比导通电阻.测试结果表明该结构可以达到VB=795V,RON,sp=78.3 mΩ· cm2,相比于传统结构的RON,sp降低了26.8％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔明	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	35	178	8.0	12.0
2	李怡	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	0	0.0	0.0