MTM 非晶硅反熔丝导通电阻

• 作者: 吴素贞 马金龙
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 电流编程 导通电阻 MTM 非晶硅 反熔丝
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 页码范围: 98-100,105
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 语种: 中文

摘要

分析了现场可编程门阵列（FPGA）和可编程存储器（PROM）中广泛使用的MTM（metal‐to‐metal）反熔丝结构，测量了决定FPGA和PROM传输延迟的反熔丝编程后导通电阻，给出了编程电流对导通电阻的决定规律。结合MTM非晶硅反熔丝的特征电压模型，确定了TiN／α‐Si／TiN结构反熔丝的特征电压值。对大量样品的实际测量结果，并且对实验数据进行拟合，实验结果表明，实验特征电压值接近模型理论值，可通过控制编程电流对编程后电阻的进行调控。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴素贞	中国电子科技集团公司第五十八研究所	4	6	2.0	2.0
2	马金龙	中国电子科技集团公司第五十八研究所	4	10	2.0	3.0