MTM反熔丝单元的辐照特性研究

• 作者: 吴素贞 徐海铭 洪根深 王印权 郑若成
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: MTM 反熔丝 总剂量效应
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 34-38
• 页数: 5页
• 分类号: TN307
• 字数: 4293字
• 语种: 中文

摘要

对MTM反熔丝单元的总剂量辐照特性进行了研究,对未编程和编程后两种状态的反熔丝单元在不同电压偏置条件下进行总剂量辐照(Co60-γ射线),辐照总剂量为2 Mrad (Si).辐照试验结果显示,未编程状态下的MTM反熔丝单元的电压-电流特性曲线基本保持不变,漏电流变化率小于10％.编程后反熔丝单元的电阻特性保持不变,并且编程电阻大小对辐照试验结果无显著影响.试验结果表明,MTM反熔丝单元的抗总剂量(Co60-γ射线)辐照能力达到2Mrad (Si)以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深		33	74	5.0	6.0
2	郑若成		20	44	4.0	5.0
3	王印权		7	10	2.0	3.0
4	徐海铭		11	14	2.0	3.0
5	吴素贞		4	6	2.0	2.0