一种星用高可靠性MT M反熔丝PRO M存储单元

• 作者: 于跃 孙杰杰 徐海铭 潘滨 胡小琴 胡永强 袁同伟
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: MTM反熔丝 PROM 存储单元 编程
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 页码范围: 89-92
• 页数: 4页
• 分类号: TN433
• 语种: 中文

摘要

提出了一种新型的，可用于卫星及其他航天器的高可靠性MTM反熔丝PROM存储单元，并围绕该存储单元，研究了其编程方式。实验表明，在PROM电路中采用该存储单元，且按照所述的编程方式，可以在编程过程中对未选中反熔丝实施有效保护，进而提高PROM芯片整体的可靠性和使用寿命。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐海铭		11	14	2.0	3.0
2	胡小琴		3	4	1.0	2.0
3	潘滨		5	5	1.0	1.0
4	孙杰杰		2	1	1.0	1.0
5	于跃		2	1	1.0	1.0
6	袁同伟		2	1	1.0	1.0
7	胡永强	中国电子科技集团公司第58研究所	7	14	2.0	3.0