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应用于超低电压下的 SRA M存储单元设计
应用于超低电压下的 SRA M存储单元设计
作者:
刘冰燕
蔡江铮
黑勇
原文服务方:
微电子学与计算机
随机静态存储器(SRAM )
低电压
低功耗
存储单元
多阈值
摘要:
提出一种能够工作在低电压下的SRAM存储单元,单元采用8T结构,在传统6T结构的基础上增加两个串联的NMOS构成读出端口,传统6T结构中背靠背反相器采用高阈值晶体管.采用Smic130 nm工艺仿真结果显示,提出的8T结构能够在最低0.3 V下正常操作,单元的读写噪声容限,保持噪声容限,相比传统6管结构显著提升,并且低电压下静态功耗方面均比传统6管结构降低60%~70%.
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MTM反熔丝
PROM
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文献信息
篇名
应用于超低电压下的 SRA M存储单元设计
来源期刊
微电子学与计算机
学科
关键词
随机静态存储器(SRAM )
低电压
低功耗
存储单元
多阈值
年,卷(期)
2016,(9)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
15-18,23
页数
5页
分类号
TN402
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
黑勇
中国科学院微电子研究所
86
477
11.0
16.0
2
蔡江铮
中国科学院微电子研究所
3
3
1.0
1.0
3
刘冰燕
中国科学院微电子研究所
1
0
0.0
0.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
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版权信息
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2016(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
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节点文献
随机静态存储器(SRAM )
低电压
低功耗
存储单元
多阈值
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
主办单位:
中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7180
CN:
61-1123/TN
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1972-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
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