应用于超低电压下的 SRA M存储单元设计

• 作者: 刘冰燕 蔡江铮 黑勇
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 随机静态存储器(SRAM ) 低电压 低功耗 存储单元 多阈值
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 页码范围: 15-18,23
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文

摘要

提出一种能够工作在低电压下的SRAM存储单元，单元采用8T结构，在传统6T结构的基础上增加两个串联的NMOS构成读出端口，传统6T结构中背靠背反相器采用高阈值晶体管．采用Smic130 nm工艺仿真结果显示，提出的8T结构能够在最低0．3 V下正常操作，单元的读写噪声容限，保持噪声容限，相比传统6管结构显著提升，并且低电压下静态功耗方面均比传统6管结构降低60％～70％．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黑勇	中国科学院微电子研究所	86	477	11.0	16.0
2	蔡江铮	中国科学院微电子研究所	3	3	1.0	1.0
3	刘冰燕	中国科学院微电子研究所	1	0	0.0	0.0