存储单元抗 TID／SEL电路加固技术面积代价研究

• 作者: 桑红石 沈绪榜 王文
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 总剂量效应(TID) 单粒子闩锁(SEL) 辐射加固设计 面积代价
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 25-29
• 页数: 5页
• 分类号: TN386|TN4
• 语种: 中文

摘要

在太空辐射环境中，总剂量辐射（Total Ionizing Dose ，TID）效应和单粒子闩锁（Single Event Latch ，SEL）效应严重影响存储器的可靠性．由此讨论了存储单元 TID效应和SEL效应的原理，探讨了基于电路的加固技术（RHBD），设计了4种新的抗TID/SEL存储单元加固方案，并和现有几种方案进行对比，研究了这些加固方案的面积代价．研究结果表明，抗TID/SEL RHBD方案普遍会使存储单元的版图面积增加87．5％以上．提出了一种加固方案，可以在加固性能和面积代价上得到较好的折衷．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈绪榜	华中科技大学多谱信息处理技术国家级重点实验室	50	293	9.0	14.0
2	桑红石	华中科技大学多谱信息处理技术国家级重点实验室	34	207	8.0	12.0
3	王文	华中科技大学多谱信息处理技术国家级重点实验室	12	93	6.0	9.0