基于RHBD技术CMOS锁存器加固电路的研究

• 作者: 李磊 胡明浩 饶全林
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: CMOS 抗辐射加固 RHBD技术 DICE D-Latch 阈值LET
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 206-209
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

对基于RHBD技术CMOS D锁存器抗辐射加固电路设计技术进行了研究,并对其抗单粒子效应进行了模拟仿真.首先介绍了基于RHBD技术的双互锁存储单元(DICE)技术,然后给出了基于DICE结构的D锁存器的电路设计及其提取版图寄生参数后的功能仿真,并对其抗单粒子效应给出了模拟仿真,得出了此设计下的阈值LET,仿真结果表明:基于DICE结构的D锁存器具有抗单粒子效应的能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李磊	电子科技大学电子科学技术研究院	39	150	6.0	10.0
2	饶全林	电子科技大学电子科学技术研究院	4	29	4.0	4.0
3	胡明浩	电子科技大学电子科学技术研究院	2	31	2.0	2.0