两个低开销抗单粒子翻转锁存器

• 作者: 岳素格 王亮 赵元富
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 单粒子翻转 SEU 锁存器 辐射加固 CMOS 设计加固
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 页码范围: 221-224
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2007.12.063

摘要

提出了两个抗单粒子翻转(SEU)的锁存器电路SEUT-A和SEUT-B.SEU的免疫性是通过将数据存放在不同的节点以及电路的恢复机制达到的.两个电路功能的实现都没有特殊的器件尺寸要求,所以都可以由小尺寸器件设计完成.提出的结构通过标准的0.18μm工艺设计实现并仿真.仿真结果表明两个电路都是SEU免疫的,而且都要比常规非加固的锁存器节省功耗.和传统的锁存电路相比,SEUT-A只多用了11%的器件数和6%的传输延时,而SEUT-B多用了56%的器件数,但获得了比传统电路快43%的速度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵元富		28	104	6.0	8.0
2	岳素格		28	96	5.0	8.0
3	王亮		9	31	3.0	5.0