高速低功耗CMOS动态锁存比较器的设计

• 作者: 娄付军 李靖坤 杨骁 邱伟彬 陈国晏
• 来源期刊: 华侨大学学报（自然科学版）
• 关键词: 动态锁存比较器 互补金属氧化物半导体 高速低功耗 失调电压
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 页码范围: 618-622
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.11830/ISSN.1000-5013.201608011

摘要

提出一种高速低功耗动态锁存比较器,电路包含预放大器、锁存比较器和SR 锁存器 3 部分.采用一种新的锁存比较器复位电路,该电路仅由一个P沟道金属氧化物半导体(PMOS)管构成,实现电荷的再利用,减小了延迟,降低了功耗.SR锁存器输入端口的寄生电容为锁存比较器的负载电容,对 SR 锁存器的输入端口进行改进,避免由于锁存比较器的负载电容失配导致的输入失调电压偏移的问题.电路采用 TSMC 0.18 μm 互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺实现.结果表明:电源电压为1 .8 V,时钟频率为1 GHz时,比较器精度达0.3 mV;最大输入失调电压为8 mV,功耗为0.2 mW;该比较器具有电路简单易实现、功耗低的特点.