一种新颖高效抗 SEU／SET锁存器设计

• 作者: 梁华国 王旭明 黄正峰
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 单粒子翻转 单粒子瞬态 锁存器 软错误 双模冗余
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 页码范围: 27-31,36
• 页数: 6页
• 分类号: TN47
• 语种: 中文

摘要

随着工艺技术的发展，集成电路对单粒子效应的敏感性不断增加，因而设计容忍单粒子效应的加固电路日益重要．提出了一种新颖的针对单粒子效应的加固锁存器设计，可以有效地缓解单粒子效应对于电路芯片的影响．该锁存器基于DICE和C单元的混合结构，并采用了双模冗余设计．SPICE仿真结果证实了它具有良好的抗SEU/SET性能，软错误率比M ．Fazeli等人提出的反馈冗余锁存器结构减少了44．9％．与经典的三模冗余结构比较，面积开销减少了28．6％，功耗开销降低了超过47％．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁华国	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	192	1611	19.0	30.0
2	黄正峰	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	101	590	14.0	19.0
3	王旭明	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	1	5	1.0	1.0