一种用刷新技术实现 SRA M抗 SEU 错误累积的方法

• 作者: 吴龙胜 艾刁 郝奎 陈庆宇
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 空间应用 SRAM 存储器控制器 刷新 单粒子翻转
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 页码范围: 113-117
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 语种: 中文

摘要

为了防止空间应用SRAM出现SEU错误累积，提出了一种优化的读→校验→回写刷新机制。该机制实时监测处理器状态，当处理器对外部主存进行读操作时，由存储器控制器自主地（即不需处理器干预）对读操作的存储单元进行刷新操作；当处理器进行访问外部主存以外的其他操作时，由存储器控制器自主的对所有的存储单元进行遍历式刷新操作，该机制可以避免长时间未被读的存储单元发生SEU错误的累积，保证SRAM单元中发生错误的比特位数小于校验码的纠检错能力。最后，通过向SRAM 随机注错的方法对本机制的存储器控制器进行验证，结果表明存储器控制器满足设计要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴龙胜		50	120	6.0	8.0
2	陈庆宇		8	24	3.0	4.0
3	郝奎		1	1	1.0	1.0
4	艾刁		4	10	2.0	3.0