基于 TDICE单元的SRAM 抗 SEU 加固设计

• 作者: 孙敬 徐新宇 薛海卫 陈振娇 陶建中
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: SRAM 单粒子翻转 DICE 读写分离 TDICE
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 页码范围: 39-43
• 页数: 5页
• 分类号: TN403
• 语种: 中文

摘要

双立互锁存储单元（DICE ），在保持状态下是一种可靠有效的单粒子翻转（SEU ）加固方法，但是，基于DICE单元的SRAM 在读操作下会发生抗SEU失效．相比抗单个敏感节点翻转的效果，DICE抗多个敏感节点翻转的能力较弱．为此，在DICE结构的基础上采用读写分离机制，以解决DICE单元在读写过程中的节点翻转问题．同时，根据电阻加固原理，在DICE存储单元的节点之间增加NMOS管，即TDICE （Transistor DICE）结构，其利用晶体管隔离反馈回路中的节点间的连接，提高了SRAM的抗多节点翻转能力．Spectre仿真结果表明：基于TDICE单元的SRAM具有较强的抗单粒子翻转能力．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛海卫		12	23	3.0	4.0
2	孙敬	江南大学物联网学院工程学院	15	138	7.0	11.0
4	陶建中	江南大学物联网学院工程学院	18	42	4.0	6.0
8	徐新宇		9	30	4.0	5.0
11	陈振娇		11	13	3.0	3.0