一种低功耗抗辐照加固256kb SRAM的设计

• 作者: 李卫民 李海霞 谭建平 陆时进
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: SRAM 抗辐照加固 灵敏放大器 低功耗
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 页码范围: 142-145
• 页数: 4页
• 分类号: TP333
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2007.07.041

摘要

设计了一个低功耗抗辐照加固的256kb SRAM.为实现抗辐照加固,采用了双向互锁存储单元(DICE)结构以及抗辐照加固版图技术.提出了一种新型的灵敏放大器,采用了一种改进的采用虚拟单元的自定时逻辑来实现低功耗.与采用常规控制电路的SRAM相比,读功耗为原来的11%,读取时间加快19%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李海霞		1	10	1.0	1.0
2	李卫民		10	46	5.0	6.0
3	谭建平		2	12	2.0	2.0
4	陆时进		2	10	1.0	2.0