低功耗绝热SRAM

• 作者: 胡建平 董惠英 蓝艇
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 绝热电路 低功耗 SRAM VLSI设计
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 页码范围: 63-66
• 页数: 4页
• 分类号: TN431
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2005.04.017

摘要

文章提出了一种新的绝热电路,并以该绝热电路为驱动,设计了一种低功耗绝热SRAM.由于所提出的绝热电路能以完全绝热的方式回收位线和字线上大开关电容的电荷,因此使该SRAM的功耗大大减小.我们采用0.25μm TSMC工艺,在时钟频率25～200MHz范围内对绝热SRAM进行了能耗和功能的HSPICE仿真,结果显示,与用传统的CMOS电路设计的SRAM相比,可节能80%左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蓝艇	宁波大学信息科学与工程学院	14	102	7.0	10.0
2	董惠英	宁波大学信息科学与工程学院	2	3	1.0	1.0
3	胡建平	宁波大学信息科学与工程学院	27	129	6.0	10.0