基于预测缓存的低功耗TLB快速访问机制

• 作者: 严晓浪 孟建熠 武淑丽 王荣华 葛海通
• 来源期刊: 计算机应用研究
• 关键词: 内存管理单元 两级转换旁置缓冲器 内容寻址存储器 静态随机存储器 预测缓存 快速访问 低功耗
• 年，卷（期）: 2011,（8）
• 所属期刊栏目: 系统应用开发
• 页码范围: 2964-2966,2996
• 分类号: TP393.08
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3695.2011.08.045

摘要

基于存储器访问局部性原理,提出了一种基于预测缓存的低功耗转换旁置缓冲器(TLB)快速访问机制.该机制采用单端口静态随机存储器(SRAM)代替传统的内容寻址存储器(CAM)结构,通过匹配搜索实现全相连TLB的快速访问,在两级TLB之间设计可配置的访问预测缓存,用于动态预测第二级TLB访问顺序,减少第二级TLB搜索匹配的延时,并有效降低第二级TLB访问功耗.采用该机制明显降低了TLB的缺失代价,当第一级TLB缺失时访问第二级TLB的平均访问延时接近1个时钟周期,约为原有平均访问延时的20％,增加的面积开销仅为原内存管理单元的1.81％左右,具有低成本、低功耗的特征.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟建熠	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	30	45	3.0	5.0
2	严晓浪	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	246	1634	19.0	29.0
3	葛海通	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	52	293	8.0	14.0
4	王荣华	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	3	3	1.0	1.0
5	武淑丽	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	1	3	1.0	1.0