基于PCRAM主存系统的访问机制

• 作者: 孙健 郝晓冉 陈岚
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 相变随机访问存储器 主存系统 能量损耗 写寿命
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 99-102
• 页数: 4页
• 分类号: TP391
• 语种: 中文

摘要

随着基于DRAM主存系统功耗的不断上升，相变随机访问存储器（PCRAM ）凭借其高密度、低功耗、非易失等优点，将成为下一代最有潜力的主存技术。然而，PCRAM的写操作具有寿命有限和写入能耗、延时较大的特点，限制了其在主存系统中的应用。为了延长主存系统的使用寿命并减少写入能耗，采用写前读技术设计了一种基于异或的数据并行机制。实验结果表明，经过该机制处理，与传统的Data Comparison Write和Flip-N-Write机制相比，写寿命分别延长38％和19％，写入能耗分别减少28％和17％。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙健	中国科学院微电子研究所	75	457	12.0	18.0
2	陈岚	中国科学院微电子研究所	86	361	10.0	14.0
3	郝晓冉	中国科学院微电子研究所	7	12	3.0	3.0