一种加固SRAM单元DDICE及外围电路设计

• 作者: 周恒 李磊
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 抗辐照 单粒子翻转 SRAM加固
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 68-72
• 分类号: TN403
• 语种: 中文

摘要

经典的DICE单元在非读写状态时具有高效抗单粒子翻转效应能力,但在读写状态下对单粒子轰击引起的单粒子瞬态却无能为力.基于DICE,提出新型DDICE结构,在互锁结构的基础上将读写线路分开,加入延时电路,并用位线和延时位线写入数据,使存储单元在读写状态下具有一定的抗单粒子效应能力,保证存储单元在静态和动态情况下免受单粒子效应的影响.同时,在译码电路中加入滤波单元,防止译码电路被单粒子轰击时,写入或读出错误数据.该设计对SRAM进行了多方位的加固,具有很强的抗单粒子效应能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李磊	电子科技大学电子科学与技术研究院	39	150	6.0	10.0
2	周恒	电子科技大学电子科学与技术研究院	7	21	2.0	4.0