一种提高SRAM写能力的自适应负位线电路设计

• 作者: 贺光辉 赵训彤
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 负位线 静态随机存储器(SRAM ) 写辅助电路
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 167-170
• 页数: 4页
• 分类号: TN47
• 语种: 中文

摘要

随着器件尺寸缩小到纳米级，在SRAM生产过程中，工艺偏差变大会导致SRAM 单元写能力变差．针对这一问题，提出了一种新型负位线电路，可以提高SRAM 单元的写能力，并通过控制时序和下拉管的栅极电压达到自我调节负位线电压，使负电压被控制在一定范围内．本设计采用TSMC 40 nm工艺模型对设计的电路进行仿真验证，结果证明，设计的电路可以改善写能力，使SRAM在电压降到0．66 V的时候仍能正常工作，并且和传统设计相比，本电路产生的负电压被控制在一个范围内，有利于提高晶体管的使用寿命，改善良率，节省功耗．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺光辉	上海交通大学微电子学院	25	32	3.0	4.0
2	赵训彤	上海交通大学微电子学院	1	1	1.0	1.0