原文服务方: 电子产品可靠性与环境试验       
摘要:
首先从双稳态电路人手,分析了 SRAM6T单元电路的工作原理和设计要求.基于实际工艺下MOS晶体管的SPICE模型,给出了一组可行的设计参数.用PSPICE对设计出的6T存储单元进行了功能验证.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 SRAM 6T存储单元电路的PSPICE辅助设计
来源期刊 电子产品可靠性与环境试验 学科
关键词 静态随机存储器 双稳态 单元电路 尺寸,仿真
年,卷(期) 2005,(6) 所属期刊栏目 可靠性设计与工艺控制
研究方向 页码范围 54-57
页数 4页 分类号 TP333.8
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-5468.2005.06.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 贾新章 西安电子科技大学微电子学院 63 572 14.0 20.0
2 张小波 西安电子科技大学微电子学院 7 81 5.0 7.0
3 焦慧芳 西安电子科技大学微电子学院 15 73 5.0 8.0
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研究主题发展历程
节点文献
静态随机存储器
双稳态
单元电路
尺寸,仿真
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子产品可靠性与环境试验
双月刊
1672-5468
44-1412/TN
大16开
广州市增城区朱村街朱村大道西78号
1962-01-01
中文
出版文献量(篇)
2803
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9369
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