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电子产品可靠性与环境试验期刊
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SRAM 6T存储单元电路的PSPICE辅助设计
SRAM 6T存储单元电路的PSPICE辅助设计
作者:
张小波
焦慧芳
贾新章
原文服务方:
电子产品可靠性与环境试验
静态随机存储器
双稳态
单元电路
尺寸,仿真
摘要:
首先从双稳态电路人手,分析了 SRAM6T单元电路的工作原理和设计要求.基于实际工艺下MOS晶体管的SPICE模型,给出了一组可行的设计参数.用PSPICE对设计出的6T存储单元进行了功能验证.
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SRAM存储单元
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可写穿的16端口存储单元定制设计
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定制设计
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文献信息
篇名
SRAM 6T存储单元电路的PSPICE辅助设计
来源期刊
电子产品可靠性与环境试验
学科
关键词
静态随机存储器
双稳态
单元电路
尺寸,仿真
年,卷(期)
2005,(6)
所属期刊栏目
可靠性设计与工艺控制
研究方向
页码范围
54-57
页数
4页
分类号
TP333.8
字数
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1672-5468.2005.06.015
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
贾新章
西安电子科技大学微电子学院
63
572
14.0
20.0
2
张小波
西安电子科技大学微电子学院
7
81
5.0
7.0
3
焦慧芳
西安电子科技大学微电子学院
15
73
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研究主题发展历程
节点文献
静态随机存储器
双稳态
单元电路
尺寸,仿真
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子产品可靠性与环境试验
主办单位:
工业和信息化部电子第五研究所(中国电子产品可靠性与环境试验研究所)
出版周期:
双月刊
ISSN:
1672-5468
CN:
44-1412/TN
开本:
大16开
出版地:
广州市增城区朱村街朱村大道西78号
邮发代号:
创刊时间:
1962-01-01
语种:
中文
出版文献量(篇)
2803
总下载数(次)
0
总被引数(次)
9369
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