一种深亚微米SRAM 6T存储单元的设计方法

• 作者: 唐明华 张新川 王勇 蒋波
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 静态随机存储器 深亚微米 6T单元 静态噪声容限 仿真
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 22-25
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 1941字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2009.10.006

摘要

文章首先分析了静态随机存储器(SRAM)6T存储单元结构的基本工作原理,总结了6T存储单元的优缺点并介绍了存储单元的重要参数静态噪声容限(SNM).在此基础上给出了一种基于实际深亚微米CMOS工艺的存储单元的设计方法,该方法的优势在于首先考虑单个读、写操作的限制,然后将多个限制因素综合在一起考虑,并通过三维曲线图形为仿真提供指导,以提高设计效率,缩短设计周期.最后给出了存储单元的晶体管参数并采用Hspice进行验证,仿真结果表明,采用这种方法设计出来的单元是稳定可靠的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐明华	湘潭大学材料与光电物理学院	19	101	4.0	10.0
2	蒋波	湘潭大学材料与光电物理学院	47	45	4.0	5.0
3	王勇	湘潭大学材料与光电物理学院	41	144	5.0	11.0
4	张新川	湘潭大学材料与光电物理学院	4	12	2.0	3.0