原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
深亚微米工艺下超大规模芯片的物理设计面临很多挑战,互连延时和串扰效应成为影响时序收敛的关键因素。文中介绍了一种采用二次综合、区域约束和串扰预防等措施实现渐进式时序收敛的方法。在65纳米工艺下,通过530万门多核DSP芯片设计验证了该方法。实例设计结果表明,这种方法可以有效地解决互连延时和串扰问题,实现复杂芯片的时序收敛。
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文献信息
篇名 一种深亚微米复杂芯片物理设计的时序收敛方法
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 深亚微米 时序收敛 连线延时 串扰效应
年,卷(期) 2013,(11) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 139-142
页数 4页 分类号 TN43
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 梁利平 中国科学院微电子研究所 47 126 7.0 9.0
2 郑天华 中国科学院微电子研究所 1 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
深亚微米
时序收敛
连线延时
串扰效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
出版文献量(篇)
9826
总下载数(次)
0
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