原文服务方: 西安交通大学学报       
摘要:
分析了小尺寸效应对深亚微米器件性能的影响,结合输入输出耦合电容和漏极扩散层寄生电容对CMOS反相器延迟影响很大的特点,建立了小尺寸器件延时估算模型.采用变尺寸率反相器级连方法,建立了深亚微米输出缓冲器优化设计模型,并运用遗传算法建立了新的优化方法.该方法利用罚函数将小尺寸输出缓冲器优化问题转化为无约束问题,通过适应度函数设计和染色体编码,得到遗传优化结果,克服了传统方法处理非线性多变量问题时存在的效率降低等缺陷.SPICE仿真表明,应用新的深亚微米缓冲器设计模型及方法的优化结果与传统设计比较,延时减少了1个数量级以上,尺寸减小了30%以上,验证了新的深亚微米缓冲器设计模型及设计方法的可靠性.
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文献信息
篇名 运用遗传算法的深亚微米输出缓冲器优化设计方法
来源期刊 西安交通大学学报 学科
关键词 集成电路 缓冲器 遗传算法 优化设计
年,卷(期) 2003,(8) 所属期刊栏目 长江学者论坛
研究方向 页码范围 844-848
页数 5页 分类号 TN43
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-987X.2003.08.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王小力 西安交通大学超大规模集成电路设计研究中心 59 320 11.0 16.0
2 高新宇 西安交通大学超大规模集成电路设计研究中心 1 0 0.0 0.0
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2003(0)
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研究主题发展历程
节点文献
集成电路
缓冲器
遗传算法
优化设计
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
西安交通大学学报
月刊
0253-987X
61-1069/T
大16开
1960-01-01
chi
出版文献量(篇)
7020
总下载数(次)
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