超深亚微米无负载四管与六管SRAM SNM的对比研究

• 作者: 刘丽蓓 屠睿 李晴 邵丙铣
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: SRAM单元稳定性 静态噪声容限 阈值电压失配
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 122-127,129
• 页数: 7页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2006.04.036

摘要

采用基于物理的α指数MOSFET模型与低功耗传输域MOSFET模型,推导了新的超深亚微米无负载四管与六管SRAM存储单元静态噪声容限的解析模型,对比分析了由沟道掺杂原子本征涨落引起的相邻MOSFET的阈值电压失配对无负载四管和六管SRAM单元静态噪声容限的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵丙铣	复旦大学国家微分析中心	41	234	10.0	13.0
2	刘丽蓓	复旦大学国家微分析中心	7	30	4.0	5.0
3	李晴	复旦大学国家微分析中心	6	21	3.0	4.0
4	屠睿	复旦大学国家微分析中心	2	10	1.0	2.0