超深亚微米集成电路可靠性技术

• 作者: 孔学东 恩云飞
• 来源期刊: 电子产品可靠性与环境试验
• 关键词: 超深亚微米集成电路 可靠性 高k栅介质 金属栅 Cu/低k互连
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 可靠性物理与失效分析
• 页码范围: 56-59
• 页数: 4页
• 分类号: TN47.06
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-5468.2005.z1.014

摘要

就超深亚微米集成电路中高k栅介质、金属栅、Cu/低k互连等相关可靠性热点问题展开讨论,针对超深亚微米集成电路可靠性问题,提出可靠性设计、生产过程的质量控制、可靠性评价与失效分析是集成电路可靠性综合评价与保证的核心思想,为产品可靠性评价与保证提供指导性参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	恩云飞	信息产业部电子第五研究所可靠性研究分析中心	37	304	10.0	14.0
2	孔学东	信息产业部电子第五研究所可靠性研究分析中心	16	184	6.0	13.0