超深亚微米集成电路的铜互连技术布线工艺与可靠性

• 作者: 杜鸣 郝跃
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 铜互连技术 低k介质材料 工艺可靠性
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 56-59
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.97
• 字数: 2927字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2005.01.013

摘要

随着VLSI器件特征尺寸的缩小,对互连集成技术提出了新的要求.铜作为新的互连线材料,能够有效地减小互连延时,提高互连性能.论述了铜互连技术中低k介质材料、势垒层材料以及铜互连布线的大马士革工艺.提出当通孔倾斜角为20°、Ta为势垒材料时,能够有效地改善铜互连技术的势垒性能,并且提高其可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜鸣	西安电子科技大学微电子研究所	5	73	3.0	5.0
2	郝跃	西安电子科技大学微电子研究所	312	1866	17.0	25.0