深亚微米CMOS混合信号电路衬底噪声耦合宏模型

• 作者: 吴晓鹏 朱樟明 杨银堂
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 衬底噪声 数模混合电路 电阻宏模型 CMOS
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 128-131,135
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2006.05.038

摘要

提出了一种基于二维器件模拟的深亚微米工艺外延型衬底的电阻宏模型.该宏模型通过器件模拟与非线性拟合相结合的方法建立,使衬底寄生参数的提取更加方便,同时保障了深亚微米电路特性的模拟精度.此外,该宏模型结构简单,可以得到与器件模拟基本一致的模拟结果,并可以方便地嵌入SPICE中进行一定规模的电路模拟.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子所	420	2932	23.0	32.0
2	朱樟明	西安电子科技大学微电子所	164	1318	18.0	26.0
3	吴晓鹏	西安电子科技大学微电子所	9	25	3.0	5.0