SRAM型FPGA的抗SEU方法研究

• 作者: 刘东 张春元 黄影
• 来源期刊: 中国空间科学技术
• 学科: 地球科学
• 关键词: 单粒子翻转 现场可编程门阵列 三模冗余 错误代码校验 空间电子干扰
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 57-65
• 页数: 9页
• 分类号: P1
• 字数: 3356字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-758X.2007.04.010

摘要

通过分析静态随机访问存储器(Static Random Access Memorg,SRAM)型现场可编程门阵列(Field Programable Gate Array,FPGA)遭受空间单粒子翻转(SEU)效应的影响,并比较几种常见的抗SEU技术:三模冗余(Triple Module Redwcdancy,TMR)、纠错码(Error Correction Code,ECC)和擦洗(Scrubbing),提出了一种硬件、时间冗余相结合的基于双模块冗余比较的抗SEU设计方法.在FPGA平台上对线性反馈移位寄存器(Linear Feedback Shift Register,LFSR)逻辑进行软件仿真的抗SEU验证实现,将各种容错设计方法实现后获得的实验数据进行分析比较.结果表明,64阶LFSR的抗SEU容错开销与基于硬件的TMR方法相比,可以节省92%的冗余逻辑资源;与基于时间的TMR相比,附加时间延迟缩短26%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张春元	国防科学技术大学计算机学院	38	261	9.0	14.0
2	刘东	国防科学技术大学计算机学院	5	128	4.0	5.0
3	黄影	国防科学技术大学计算机学院	2	75	2.0	2.0